Görsel mevcut değil
NJVMJD45H11D3T4G
NJVMJD45H11D3T4G Hakkında
onsemi tarafından üretilen NJVMJD45H11D3T4G, TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan yüksek akımlı PNP bipolar junction transistörüdür. 8A collector akımı ve 80V collector-emitter çıkış voltajı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 90MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. 20W maksimum güç disipasyon kapasitesi ve 40 minimum DC current gain (hFE @ 4A, 1V) ile güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alabilir. Surface mount montaj türü ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
90MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V