Görsel mevcut değil
NJVMJD44H11RLG
NJVMJD44H11RLG Hakkında
NJVMJD44H11RLG, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketi ile sunulan bu transistör, 8A collector akımı ve 80V maksimum collector-emitter gerilimi ile çalışır. 85MHz transition frequency ve 1V saturasyon gerilimine sahip olması, güç anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygun kılar. 1.75W maksimum güç dağılımı ile tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında çalışabilir. DC current gain (hFE) minimum değeri 2A ve 1V'de 60'tır. Cep telefonu, bilgisayar, endüstriyel kontrol, güç kaynakları ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
85MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V