Görsel mevcut değil
NJVMJD44H11D3T4G
NJVMJD44H11D3T4G Hakkında
NJVMJD44H11D3T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörrün (BJT) yüksek akım versiyonudur. 80V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 85MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, ses amplifikatörleri ve endüstriyel denetim devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
85MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V