Görsel mevcut değil
NJVMJD42CT4G
NJVMJD42CT4G Hakkında
NJVMJD42CT4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar transistörüdür. 100V maksimum collector-emitter gerilim ve 6A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 1.75W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile soğutma gereksinimleri düşüktür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V