Görsel mevcut değil
NJVMJD350T4G
NJVMJD350T4G Hakkında
onsemi tarafından üretilen NJVMJD350T4G, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir PNP bipolar transistördür. 300V kolektör-emiter yıkılım voltajı ve 500mA maksimum kolektör akımı ile güç kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.56W maksimum güç harcaması ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) ile güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V