Görsel mevcut değil
NJVMJD32T4G
NJVMJD32T4G Hakkında
NJVMJD32T4G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 DPak paket içerisinde sağlanan bu transistör, 40V collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile çalışabilir. 1.56W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 3A, 4V'de minimum 10 değerine ulaşır. 3MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Doyum durumunda 1.2V Vce değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. -65°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, güç amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve komplementer çıkış uygulamalarında tercih edilir. Surface mount montaj tipi sayesinde otomatik üretim proseslerine uyundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V