Görsel mevcut değil
NJVMJD32CT4G-VF01
NJVMJD32CT4G-VF01 Hakkında
NJVMJD32CT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. Maksimum 3A kollektör akımı ve 100V kollektör-emitter kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketlemesiyle kompakt devreler için uygundur. 1.56W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ve -65°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında transistör anahtarlama, güç yönetimi ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V