Görsel mevcut değil
NJVMJD31T4G
NJVMJD31T4G Hakkında
NJVMJD31T4G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 40V collector-emitter gerilimi ve 3A collector akımı ile çalışabilir. 1.56W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bileşen, düşük frekans uygulamalarında (3MHz transition frequency) kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Düşük hFE değeri (10 @ 3A, 4V) ve 1.2V maksimum Vce saturation voltajı ile güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve genel amaçlı amplifikasyon tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V