Görsel mevcut değil
NJVMJD31CT4G-VF01
NJVMJD31CT4G-VF01 Hakkında
NJVMJD31CT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım kapasitesi ve orta gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V maksimum Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile donatılmıştır. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 1.56W maksimum güç tüketimine sahiptir. DC current gain değeri 1A, 4V koşullarında 25 ile karakterizedir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor sürücüleri, güç anahtarlamaları, yükselticiler (boost converter) ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük frekans anahtarlama devreleri için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V