Görsel mevcut değil
NJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4G Hakkında
NJVMJD31CT4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100V maksimum Vce ve 3A maksimum collector akımı ile çalışır. 1.56W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. 3MHz transition frequency ve 25 minimum DC current gain özellikleriyle, düşük hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol, güç yönetimi, ses amplifikasyon ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Aktif üretim durumunda olan komponent, geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortam koşullarına uyum sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V