Görsel mevcut değil
NJVMJD31CRLG
NJVMJD31CRLG Hakkında
onsemi tarafından üretilen NJVMJD31CRLG, yüksek akım kapasitesi ve düşük saturasyon voltajı ile tasarlanmış NPN bipolar junction transistörleridir. 3A collector akımı ve 100V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç amplifikasyonunda ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 1.56W maksimum güç dağılımı özellikleri ile çeşitli ortamlara uyum sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V