Görsel mevcut değil
NJVMJD31CG
NJVMJD31CG Hakkında
NJVMJD31CG, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 3A kollektör akımı ve 100V çöküş gerilimi ile tasarlanmıştır. 1.56W güç dağıtım kapasitesine sahip olan transistör, gürültü kaldırma, motor sürücüleri, güç amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 3MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. DC akım kazancı 10 (hFE @ 3A, 4V) olup, saturasyon gerilimi maksimum 1.2V'tır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V