Görsel mevcut değil
NJVMJD3055T4G
NJVMJD3055T4G Hakkında
NJVMJD3055T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar transistördür. 60V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 10A maksimum kolektor akımı ile tasarlanan bu bileşen, güç amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount DPAK paket ile PCB entegrasyonuna uygun olan transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) stabil performans sunar. 2MHz transition frequency özelliği ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine müsaittir. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ses amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V