Görsel mevcut değil
NJVMJD148T4G
NJVMJD148T4G Hakkında
NJVMJD148T4G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 45V collector-emitter gerilimi ve 4A collector akımı ile tasarlanmıştır. 1.75W güç yönetim kapasitesine sahip olup, -55°C ile +150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 3MHz transition frequency özelliği ile orta frekans uygulamalarında kullanıma uygundur. Düşük saturasyon gerilimi (500mV) ve yeterli DC akım kazancı (hFE min 85) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. İtici çıkış (driver) uygulamaları, güç kaynağı kontrolü ve sinyallerin anahtarlanması gibi işlemler için tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V