Görsel mevcut değil
NJVMJD117T4G
NJVMJD117T4G Hakkında
NJVMJD117T4G, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistörüdür. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A collector akımı ile çalışabilir. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güç yönetimi ve sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -65°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil çalışan transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarlaması ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V