Görsel mevcut değil
NJVMJD112T4G
NJVMJD112T4G Hakkında
NJVMJD112T4G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. 100V kolektör-emiter breakdown voltajı ve maksimum 2A kolektör akımı ile çalışan bu komponent, 20W güç sınırlaması içinde tasarlanmıştır. 1000'in üzerinde DC akım kazancı (hFE) özelliği sayesinde düşük baz akımı gerektiren uygulamalarda kullanılabilir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -65°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel kontrol sistemleri, anahtarlama devreleri, güç amplifikatörleri ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 25MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V