Görsel mevcut değil
NJVMJD112G
NJVMJD112G Hakkında
NJVMJD112G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 100V kollektör-emiter gerilim ile 2A maksimum kollektor akımını destekler. 1000'in üzerinde DC akım kazancı (hFE) ve 25MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1.75W güç dissipasyonu kapasitesi ile düşük güç tüketimli devreler için uyygundur. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç yönetimi ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Surface mount montajı ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V