Görsel mevcut değil
NJVMJB41CT4G
NJVMJB41CT4G Hakkında
NJVMJB41CT4G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 6A maksimum kolektör akımı ile orta güç seviyesi anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygundur. D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegrasyonu mümkündür. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile DC anahtarlama, motor kontrol, güç kaynakları ve ses amplifikatörü uygulamalarında kullanılabilir. -65°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ortamlarda da güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
D²PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A