Görsel mevcut değil
NJD35N04T4G
NJD35N04T4G Hakkında
NJD35N04T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN Darlington transistörüdür. 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 45W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 2000 minimum DC current gain (hFE) ile kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bileşen, -65°C ile 150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, ışık denetleme ve endüstriyel otomasyon gibi alanlarda yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
90MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
45 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V