Görsel mevcut değil
NJD2873T4G
NJD2873T4G Hakkında
NJD2873T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım NPN bipolar junction transistördür. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 50V collector-emitter gerilimi ile çalışabilir. 65MHz transition frequency ve 120'in minimum DC current gain değerleri ile genel amaçlı anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 1.68W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile motor kontrol, güç yönetimi ve şarj devrelerine entegre edilebilir. -65°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.68 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V