Görsel mevcut değil
MMST5551Q-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT323
MMST5551Q-7-F Hakkında
MMST5551Q-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistöründür. SOT-323 (SC-70) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 200mA collector akımı kapasitesi ve 300MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük kolektör kapalı akımı (50nA) ve 200mV saturasyon gerilimi sayesinde düşük güç tüketimli uygulamalarda ekonomik bir seçimdir. Ses amplifikatörleri, RF devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında sık kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V