Görsel mevcut değil
MMST5551-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3
MMST5551-7-F Hakkında
MMST5551-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SC-70 (SOT-323) paketinde sunulmaktadır. 160V collector-emitter breakdown voltajı ve 200mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerde kullanılabilir. 200mW maksimum güç tüketimi, 80 minimum DC akım kazancı (hFE @ 10mA, 5V) ve 200mV saturasyon voltajı (5mA tabanı, 50mA collector) tipik özellikleri içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Darbe ve RF amplifikatörü, anahtarlama uygulamaları ve düşük seviyeli sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V