Görsel mevcut değil
MMJT9435T1G
MMJT9435T1G Hakkında
MMJT9435T1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kollektör akımı ve 30V collector-emitter gerilim ile çalışabilir. 125 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 110MHz transition frekansı özelliğine sahiptir. 550mV maksimum doyum gerilimi, düşük güç uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 3W güç tüketimi ile sınırlandırılmıştır. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri, ses sistemleri ve elektronik kontrol devrelerinde kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 800mA, 1V
Frequency - Transition
110MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
İlgili Ürünler
