Görsel mevcut değil
MMBTA56Q-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
MMBTA56Q-7-F Hakkında
MMBTA56Q-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 80V maksimum Vce ve 500mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 50MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350mW güç yönetimi kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V