Görsel mevcut değil
MMBTA55_R1_00001
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSIS
MMBTA55_R1_00001 Hakkında
MMBTA55, PANJIT tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maximum 500mA collector akımı, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 225mW güç tüketim kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 100MHz transition frekansı ile hızlı komütasyon gerekli devrelerde, düşük sıcak bağlantı voltajı (250mV @ 100mA) ile verimli anahtarlama gerçekleştirir. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Kompakt SOT-23 yüzey montaj paketi ile modern PCB tasarımlarına entegre edilir. Hassas ölçüm ekipmanları, ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve genel endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V