Görsel mevcut değil
MMBTA55-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
MMBTA55-7-F Hakkında
MMBTA55-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hız anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 500mA kolektör akımı, 60V kritik aşağı voltajı ve 300mW güç dağılımı kapasitesi ile kompakt elektronik devrelerde kullanılmaya uygundur. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket formatında sunulan bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 50MHz geçiş frekansı ve 100 minimum DC akım kazancı sayesinde, ses frekansı ve düşük frekans uygulamalarında etkili bir çözümdür. Uydu cihazları, elektrik araçları ve tüketici elektroniğinde sık kullanılan bu transistör, hızlı anahtarlama gerektiren dijital ve analog devre tasarımlarına uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V