Görsel mevcut değil
MMBTA55-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
MMBTA55-7 Hakkında
MMBTA55-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 60V kolektör-emitter bozulma gerilimi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 300mW güç dissipasyonu kapasitesine sahip bu transistör, 100 @ 100mA, 1V koşulunda 100 minimum akım kazancı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 50MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılabilir. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Market
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V