Görsel mevcut değil
MMBTA06Q-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
MMBTA06Q-7-F Hakkında
MMBTA06Q-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter voltajı ve 500mA collector akımı ile tasarlanmış olup, 350mW güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta-hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Geniş -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar. Küçük SOT-23 paketlemesi sayesinde yoğun devre tasarımlarında yer tasarrufu sunmaktadır. Sinyal amplifikasyonu, kuvvetlendirme ve anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V