Görsel mevcut değil
MMBTA05_R1_00001
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSIS
MMBTA05_R1_00001 Hakkında
PANJIT MMBTA05 NPN bipolar junction transistör (BJT), yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış tekil komponenttir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile güç anahtarlama devrelerinde, amplifikasyon ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 225mW maksimum güç tüketimi ile enerji yönetimi gerektiren tasarımlara uygundur. DC current gain (hFE) değeri 100 @ 100mA koşullarında 100 V/mA'tir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V