Görsel mevcut değil
MMBTA05-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
MMBTA05-7-F Hakkında
MMBTA05-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılmaya uygun olan bu komponent, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 100 MHz transition frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 300mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile sınırlı enerji bütçesine sahip devrelerde de yer alabilir. Minimum 100 hFE DC akım kazancı ile güvenilir amplifikasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanım sağlamaktadır. Sinyal amplifikasyon, hızlı anahtarlama ve lojik seviye dönüştürme gibi genel amaçlı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V