Görsel mevcut değil
MMBT5401-G
- Üretici
- Comchip Technology
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
MMBT5401-G Hakkında
MMBT5401-G, Comchip Technology tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (SC-59) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile karakterizedir. 300mW maksimum güç disipasyonu ve 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC current gain (hFE) 100 @ 10mA, 5V koşullarında sağlanır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) nedeniyle endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir. Audio amplifier devreleri, sinyal anahtarlama, darbe oluşturma (pulse generation) ve genel amaçlı switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V