Görsel mevcut değil
MMBT5401-7-F
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 150V 0.6A SMD SOT23-3
MMBT5401-7-F Hakkında
MMBT5401-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile karakterizedir. 300MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain (hFE) minimum 60 değeriyle, 10mA collector akımında 5V Vce'de çalışır. 500mV saturation voltajı ile düşük enerji kaybında çalıştırılabilir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir operasyon sunar. Düşük güç tüketimi (300mW max) nedeniyle portable ve batarya beslemeli cihazlarda, anahtarlama devrelerinde, sinyal amplifikasyonunda ve genel amaçlı elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V