Görsel mevcut değil
MMBT3906FA-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0806-3
MMBT3906FA-7B Hakkında
MMBT3906FA-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount X2-DFN0806-3 paketinde sunulmaktadır. 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 200mA collector akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil çalışma sağlar. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyonu ve switching uygulamalarında kullanılır. Maksimum 435mW güç dağıtım kapasitesi ile kompakt devre tasarımlarında, özellikle taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri, PWM denetim devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
435 mW
Supplier Device Package
X2-DFN0806-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V