Görsel mevcut değil
MMBT3906LP-7
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
MMBT3906LP-7 Hakkında
MMBT3906LP-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek frekans PNP bipolar junction transistördür. 40V kesme gerilimi ve 200mA maksimum kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 3-UFDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, ses amplifikatörleri, RF devreler, sinyal anahtarlama uygulamaları ve düşük güçlü switching regülatörlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-UFDFN
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
X1-DFN1006-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V