Görsel mevcut değil
MJF3055G
MJF3055G Hakkında
MJF3055G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörü (BJT) olup, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10A kolektör akımı ve 90V kırılma voltajı ile güç düzenleme, anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygundur. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yaygın olarak yer almaktadır. 2MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Through-hole montajı nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220FP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
90 V
İlgili Ürünler
