Görsel mevcut değil
MJD32CUQ-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- PWR MID PERF TRANSISTOR TO252
MJD32CUQ-13 Hakkında
MJD32CUQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252 (D-Pak) surface mount paketinde sunulmaktadır. 3A maksimum collector akımı, 1.6W güç yeteneği ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25 @ 1A, 4V şartlarında minimum DC current gain ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 3MHz transition frequency ile kontrol ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Düşük saturation voltajı (700mV @ 3A) güç tüketiminin minimize edilmesini sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.6 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V