Görsel mevcut değil
MJD32C-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
MJD32C-13 Hakkında
MJD32C-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100V Vce breakdown voltajında ve 3A kolektör akımında çalışabilir. 15W güç kayıpsına sahip olan komponent, -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında kararlı performans sunar. 3MHz transition frequency ile sıvıçıkartma uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve genel amaçlı amplifikasyon işlemlerinde kullanılır. Düşük saturasyon voltajı (1.2V @ 3A) sayesinde verimli anahtarlama özellikleri vardır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
15 W
Supplier Device Package
TO-252-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V