Görsel mevcut değil
MJD31CQ-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 3A DPAK
MJD31CQ-13 Hakkında
MJD31CQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. 100V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 3A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 15W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 3MHz transition frekansı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında işletilir. Düşük doyum gerilimi (1.2V @ 375mA, 3A) nedeniyle anahtarlama verimliliği yüksektir. Otomotiv, endüstriyel kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
15 W
Supplier Device Package
TO-252-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V