Görsel mevcut değil
MJD31C-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 3A DPAK
MJD31C-13 Hakkında
MJD31C-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu transistör, 100V maksimum Vce breakdown voltajı ve 3A maksimum kolektör akımı özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.56W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yer alabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bileşen, 3MHz transition frequency değeriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V