MJD117G

Üretici: onsemi
Kategori: Bipolar Transistör (BJT) › Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

MJD117G Hakkında

MJD117G, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100V kollektör-emitör gerilimi ve 2A maksimum kollektör akımı ile çalışır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) ile güç kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, motor kontrol, röle sürücü devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1.75W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Ürün Özellikleri

13 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 2 A

Current - Collector Cutoff (Max) 20µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V

Frequency - Transition 25MHz

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Active

Power - Max 1.75 W

Supplier Device Package DPAK

Transistor Type PNP - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V