Görsel mevcut değil
KSB1116AGBU
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 1A TO-92
KSB1116AGBU Hakkında
KSB1116AGBU, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. 60V maksimum Vce breakdown voltajı ve 1A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmış olan bu bileşen, 750mW maksimum güç tüketimine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 100mA ve 2V Vce'de en az 200'dür. 120MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışan KSB1116AGBU, amatör elektronik projelerinde, düşük sinyal amplifikasyon devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve genel amaçlı PNP transistör gereken tasarımlarda tercih edilebilir. Through Hole montaj türüne sahip olup, klasik TO-92-3 konfigürasyonda 3 bacağa sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
750 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V