Görsel mevcut değil
KSB1116GTA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 1A TO92-3
KSB1116GTA Hakkında
KSB1116GTA, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V Vce breakdown voltajı ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 120MHz transition frequency'sine sahip olması, orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmasını mümkün kılar. 750mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, küçük güçlü anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. Üretim statüsü itibariyle discontinued ürün kategorisindedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
750 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V