Görsel mevcut değil
JANSR2N3439
JANSR2N3439 Hakkında
JANSR2N3439, Microchip Technology tarafından üretilen TO-39 metal kıvamlı NPN bipolar junction transistördür. 350V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 800mW maksimum güç derecelendirilmesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 40 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ve 500mV doyum gerilimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. Geniş sıcaklık aralığında (-65°C ~ 200°C) çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj türü ile eski nesil ve geleneksel tasarımlarda kullanılmaya devam etmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V