Görsel mevcut değil
JANHCB2N3439
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR POWER BJT
JANHCB2N3439 Hakkında
JANHCB2N3439, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir güç transistörüdür. TO-39 metal kaplı DIP paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mW güç disipasyonu kapasitesiyle, 1A'e kadar collector akımını kontrol edebilir. -55°C ile +200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, analog ve dijital devre uygulamalarında, sesli amplifikatörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Minimum 40 DC current gain (hFE) ile kararlı amplifikasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V