Görsel mevcut değil
JANSR2N2219AL
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSR2N2219AL Hakkında
JANSR2N2219AL, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-5 metal kasa paketinde sunulmaktadır. 50V collector-emitter gerilimi ve 800mW maksimum güç tüketimiyle, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan klasik bir transistördür. DC akım kazancı (hFE) minimum 75 (1mA, 10V koşullarında), maksimum doyum gerilimi 1V (50mA, 500mA koşullarında) özellikleriyle radikal gürültü seviyeleri düşüktür. -65°C ile 200°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük frekans amplifikatörleri, modülasyon devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 1mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V