Görsel mevcut değil
2N2219AE4
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
2N2219AE4 Hakkında
2N2219AE4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kan paketinde sunulan bu transistör, 40V collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile çalışır. 100 minimum DC current gain (hFE) değerine sahip olup, -55°C ile 200°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 800mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, radyo frekans uygulamaları ve genel amaçlı amplifier tasarımında kullanılır. Through-hole montaj türü nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V