Görsel mevcut değil
JANSM2N3636UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSM2N3636UB/TR Hakkında
JANSM2N3636UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SMD 4-pin paketinde sunulmaktadır. 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.5W maksimum güç derecelendirmesi ile orta ila yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 50 değerinde olup, 10µA maksimum collector cutoff akımı ile düşük sızıntı özellikleri gösterir. 600mV VCE(sat) değeri ile doyma bölgesinde işletim karakteristikleri tanımlanmıştır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında homojen performans sunar. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı BJT kullanılan tasarımlarda tercih edilir. Active status ile güncel tedarik imkanı mevcuttur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V