2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JAN2N3636 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JAN2N3636

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS PNP 175V 1A

JAN2N3636 Hakkında

JAN2N3636, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal can paketinde sunulan bu transistör, 175V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 1A collector akımı ile çalışmaktadır. 1W güç kapasitesine sahip olan bileşen, -65°C ile 200°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 50mA collector akımında 50V VCE'de minimum 50 hFE DC current gain değerine sahiptir. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimlenmek üzere tasarlanmıştır. Düşük frekanslı amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devreler içinde yaygın olarak kullanılır. Aktif üretimde olan bu bileşen, endüstriyel ve müşteri uygulamalarında güvenilir performans sağlar.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 175 V