Görsel mevcut değil
FMMT555TA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 150V 1A SOT23-3
FMMT555TA Hakkında
FMMT555TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3/SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine destek verir. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sinyalleştirme, amplifikasyon ve dijital devrelerdeki anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında geniş işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. 50 minimum hFE (300mA'de) ile güvenilir akım kazancı sağlar ve 300mV doyum voltajı (10mA base, 100mA collector akımında) ile düşük güç kaybı karakteristiği sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V