Görsel mevcut değil
FMMT493TA
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
FMMT493TA Hakkında
FMMT493TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum kollektor akımı ile tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency (geçiş frekansı) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, 500mW maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. DC current gain (hFE) değeri 100V'da minimum 100 olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, düşük gürültü amplifikatörleri, RF uygulamaları, ses frekansı devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V